近年來，全球範圍内(nei)的光伏(fu)發電(dian)産業(ye)發展(zhan)迅(xun)速(su)，其中(zhong)晶矽(xi)組件的(de)比(bi)例(li)占(zhan)到了(le)87％ ，晶矽(xi)組件(jian)質量的優劣及(ji)價格(ge)在一定程(cheng)度上影(ying)響着光(guang)伏組件的效(xiao)率(lü)和成本。因(yin)此，面對日趨(qu)競争激(ji)烈的市場(chang)需求(qiu)，降(jiang)低(di)晶矽組件(jian)的生産(chan)成(cheng)本(ben)，提(ti)高産品(pin)質量成(cheng)爲了目前光伏産業(ye)中亟待解決的問題之一(yi) 。

    在晶矽組件中(zhong)，單晶矽組件與(yu)多晶(jing)矽(xi)組件相(xiang)比，因(yin)其具有較(jiao)高的光電轉換(huan)率、發電(dian)性(xing)穩定(ding)等優點而(er)在市場上占(zhan)據重要(yao)的地(di)位。單晶爐(lu)是單晶矽組件(jian)生産過程中的(de)主要生産設備(bei)，各單(dan)晶生(sheng)産廠(chang)商主(zhu)要采(cai)用二(er)次增料技術來(lai)提高單晶爐的(de)生産(chan)效率。目前，國内單(dan)晶(jing)生産廠商(shang)在單晶爐(lu)二次(ci)增料(liao)裝置(zhi)方面取(qu)得了一(yi)定的成果(guo)。但是，在長期(qi)的(de)生産(chan)應用過(guo)程中這(zhe)些裝置都有不(bu)同程度的(de)缺陷(xian)，爲了提高二次增料裝(zhuang)置的性能，本文對(dui)原裝置(zhi)進行(hang)了結構(gou)改進。

    單晶爐二(er)次增(zeng)料時(shi)的原料形狀(zhuang)一(yi)般分(fen)爲塊狀矽料、粉(fen)末狀(zhuang)矽料和棒(bang)狀矽(xi)料。粉(fen)末狀矽料(liao)可(ke)以利用專用設(she)備壓制成塊(kuai)狀，棒(bang)狀矽(xi)料經(jing)過(guo)水爆機(ji)後形成塊(kuai)狀矽(xi)料。因(yin)此．塊(kuai)狀矽(xi)料的二次增料裝置(zhi)可以(yi)實現三種(zhong)不同形狀(zhuang)矽料往單(dan)晶爐(lu)内的添加(jia)，大多(duo)數企(qi)業(ye)采用塊狀矽(xi)料二次增料裝置(zhi)來實現(xian)單晶爐生(sheng)産效(xiao)率的提高(gao)， 圖1爲某塊狀矽料的(de)單晶(jing)爐二次增(zeng)料(liao)裝(zhuang)置結構示(shi)意圖。

    該二(er)次增(zeng)料裝置的(de)工作(zuo)原理是(shi)：拉杆1可(ke)以在(zai)固定圈2和定位圈4内(nei)左右(you)移動，當沿着豎(shu)直方向提起拉杆1時(shi)，拉杆1底部(bu)的錐(zhui)形(xing)面與外(wai)簡(jian)5相(xiang)接觸，此時(shi)，将塊(kuai)狀(zhuang)矽料從固定(ding)圈(quan)2與(yu)外筒(tong)5之間的空隙中添加(jia)至外筒5内(nei)，直至添滿，從而(er)實現(xian)二次增料(liao)裝置(zhi)的裝料；接(jie)着，提拉盛滿塊狀矽料的二次(ci)增料(liao)裝(zhuang)置至單(dan)晶爐内(nei)，使支撐(cheng)圈3與單晶(jing)爐内(nei)部的匹配部位相吻合，松開提(ti)拉杆1，在(zai)矽料重(zhong)力的(de)作用下(xia)，拉杆1底部的錐面(mian)與外筒(tong)5相分離(li)，此時(shi)拉(la)杆(gan)1底部(bu)的錐面位置如(ru)虛線所示(shi)，塊(kuai)狀(zhuang)矽料從外筒5與(yu)拉杆1底部錐面(mian)之間(jian)的空隙流(liu)人盛(sheng)有(you)熔(rong)融矽(xi)料的石英(ying)坩(gan)埚(guo)中，二次增(zeng)料裝置内的矽料自(zi)由下(xia)到單晶爐内的(de)石英坩埚(guo)中，實現單晶爐的二(er)次增料。

    存(cun)在問題(ti)

    該單晶爐 二(er)次增(zeng)料裝(zhuang)置存在主(zhu)要問(wen)題如下：

    (1)、卡料：由(you)于矽料之(zhi)間、矽(xi)料與裝置内部(bu)的部件之(zhi)間存在摩擦(ca)力，落料(liao)時，矽料容(rong)易卡殼，甚(shen)至矽料卡(ka)住拉杆1，緻使其(qi)底部(bu)錐面(mian)與外(wai)筒5之間不能形(xing)成間(jian)隙，塊狀矽(xi)料不(bu)能(neng)實(shi)現下(xia)落；

    (2)、污染(ran)：矽(xi)料在(zai)實現落(luo)料(liao)的過(guo)程中，拉杆1底部(bu)錐面(mian)會被下(xia)面熔融(rong)矽料(單晶(jing)爐内(nei))的(de)高(gao)溫所(suo)氧化(hua)而(er)污染矽料(liao)，從而影響拉晶工藝或矽棒質量等(deng)缺(que)點。