你(ni)了解單晶爐嗎(ma)？單晶爐在制作(zuo)工藝上的拉制(zhi)方法(fa)具體該怎(zen)麽做(zuo)呢？

第一種(zhong)：區熔法

區熔法的操(cao)作工藝就(jiu)是爲了避免熔體與(yu)坩埚間的(de)化學反應(ying)造成(cheng)的污(wu)染(ran)，而發展(zhan)起來的無(wu)增埚(guo)晶體(ti)生長工藝。

這種(zhong)方法隻适(shi)用于熔體(ti)表面(mian)張力系數(shu)大的(de)晶體生(sheng)長。垂直(zhi)安裝一根多晶體棒(bang)，用水冷射(she)頻感，使應(ying)加熱(re)使棒(bang)的一端熔化。依(yi)靠(kao)熔(rong)體的表面張力和電場産(chan)生(sheng)的(de)懸浮(fu)力，使(shi)熔體與晶(jing)棒粘附在(zai)一起。把一(yi)根經(jing)過定(ding)向處理(li)的籽晶(jing)端部(bu)侵入熔體(ti)，利用加熱器與(yu)晶體(ti)熔體的相對運動使多晶(jing)棒不斷地熔化(hua)，而另(ling)一側逐漸生(sheng)成晶體。這種(zhong)方法會(hui)讓(rang)生長的晶(jing)體不(bu)會受(shou)坩埚的污(wu)染。

第二種：直(zhi)拉法

直(zhi)拉法又稱(cheng)“恰克(ke)拉斯(si)基法”（czochralski）法，簡(jian)稱cz法。是生長單晶矽的主(zhu)要方(fang)法。該法是(shi)在直(zhi)拉法(cz)單(dan)晶爐内(nei)，将原(yuan)料（多晶(jing)矽）裝在(zai)一(yi)個坩埚(guo)中使其加(jia)熱至(zhi)熔融(rong)狀，向熔矽中引入(ru)籽(zi)晶，籽(zi)晶夾(jia)在提(ti)拉杆(gan)的下端，控(kong)制溫度合(he)适。當(dang)籽晶(jing)和熔(rong)矽達到平衡時，熔液(ye)會靠(kao)着表面(mian)張(zhang)力的(de)支撐吸附在籽(zi)晶的(de)下(xia)方。此時(shi)邊旋(xuan)轉邊提拉(la)籽晶，這些被吸(xi)附的(de)熔(rong)體也(ye)會随着籽晶(jing)往上運動(dong)。向(xiang)上運動的過(guo)程中熔體(ti)溫(wen)度下降，将使(shi)得熔體(ti)凝結成晶且(qie)随着籽晶(jing)方向(xiang)生長成單(dan)晶棒。

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