單(dan)晶爐(lu)在使用前(qian)一定要認真的(de)閱讀操(cao)作規程(cheng)，以免發生意外(wai)和(he)導緻設備的(de)損壞。

1、清爐、裝爐(lu)：清洗整個爐室(shi)内壁(bi)及(ji)加(jia)熱線圈、反(fan)射(she)器、晶體(ti)夾持器、上(shang)軸、下(xia)軸，調(diao)整加熱線圈和反(fan)射(she)器的(de)水平(ping)及(ji)與上軸(zhou)、下軸(zhou)的對(dui)中；将(jiang)多晶料夾具固(gu)定到多晶(jing)料尾(wei)部的刻槽處，然(ran)後将其安裝到(dao)上軸(zhou)末端，進行多(duo)晶(jing)料的對中；将籽晶裝入籽(zi)晶夾頭上(shang)，然後将其安裝到下(xia)軸頂(ding)端；關閉各個(ge)爐(lu)門，擰緊各(ge)緊固(gu)螺栓； 

2、抽空(kong)、充氣，預熱(re)：打開(kai)真空泵及抽氣管道(dao)閥門(men)，對爐(lu)室進行抽(chou)真空(kong)，真空(kong)度達到所(suo)要求(qiu)值時，關閉抽氣管道(dao)閥門(men)及真空(kong)泵，向爐膛(tang)内(nei)快速充入(ru)氩氣；當充(chong)氣(qi)壓力達(da)到相(xiang)對壓(ya)力 1bar-6bar時，停止快速(su)充氣，改用慢速(su)充氣，同(tong)時打開(kai)排氣(qi)閥(fa)門進(jin)行(hang)流氩；充氣完畢(bi)後，對(dui)多晶(jing)矽棒(bang)料進(jin)行預熱，預熱(re)使用石墨預(yu)熱環，使用電流(liu)檔，預熱設(she)定點(dian)25-40％，預熱時(shi)間(jian)爲10-20分(fen)鍾； 

3、化料、引(yin)晶：預(yu)熱(re)結(jie)束(shu)後，進行(hang)化料(liao)，化料(liao)時轉(zhuan)入電壓檔，發生(sheng)器設(she)定點在40-60％；多(duo)晶料(liao)熔化(hua)後，将(jiang)籽晶與熔矽進(jin)行熔接，熔(rong)接後對熔(rong)區進行整(zheng)形，引晶(jing)； 

4、生(sheng)長細頸：引晶結束後(hou)，進行細頸(jing)的生(sheng)長，細(xi)頸的直(zhi)徑在2-6mm，長度在(zai)30-60mm； 

5、擴肩(jian)及氮氣的充入(ru)：細頸(jing)生長(zhang)結束(shu)後，進行擴肩，緩(huan)慢減(jian)少(shao)下速(su)至3±2mm/min，同時随着擴肩(jian)直徑的(de)增(zeng)大不(bu)斷減少下轉至8±4rpm，另外還要(yao)緩慢減小(xiao)上轉(zhuan)至(zhi)1±0.5rpm；爲(wei)了防止高(gao)壓電(dian)離，在氩氣(qi)保護(hu)氣氛(fen)中充(chong)入一定比例的(de)氮氣(qi)，氮氣的摻入比(bi)例相對于氩氣(qi)的 0.01％-5％；

6、轉肩、保(bao)持及夾持(chi)器釋放：在擴肩直徑與單(dan)晶保持直(zhi)徑相(xiang)差3-20mm時，擴肩的速(su)度要(yao)放慢(man)一些(xie)，進行轉肩，直至(zhi)達到(dao)所需直徑(jing)，單晶保持(chi)，等徑(jing)保持(chi)直徑(jing)在75mm-220mm，單(dan)晶生長速(su)度1mm/分(fen)-5mm/分，在擴肩過程中，當單晶(jing)的肩(jian)部單晶持器的(de)銷子的距(ju)離小(xiao)于2mm時釋(shi)放(fang)夾持(chi)器，将(jiang)單(dan)晶(jing)夾住(zhu)；

7、收尾、停爐(lu)：當單(dan)晶拉至尾(wei)部(bu)，開(kai)始進(jin)行收(shou)尾，收(shou)尾到單晶的直徑達(da)到(dao)Φ10-80mm，将熔區(qu)拉開，這時(shi)使下(xia)軸繼(ji)續向下運動，上軸改向上運動，同(tong)時(shi)功率(lü)保持(chi)在40±10％，對晶體(ti)進行緩慢(man)降溫(wen)。